特許
J-GLOBAL ID：200903049236040881
配線の断線修正方法並びにTFT基板及びその配線修正方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-326920
公開番号（公開出願番号）：特開平8-184842
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、TFT基板における少なくとも上部配線の断線又は半断線について上部配線とほぼ同程度の抵抗で、高信頼度で接続してTFTの製品として使用できるようにしたTFT基板及びその配線修正方法を提供することにある。【構成】本発明は、TFT基板2に形成された少なくとも上部配線の断線30又は半断線31の個所を検出する断線個所検出工程と、該断線個所検出工程で検出された少なくとも上部配線の断線30又は半断線31の個所に金属錯体を含む溶液または塗膜32、53を供給し、この供給された断線又は半断線の個所にレーザ光を照射して前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を、断線又は半断線された上部配線20の端部35を覆って該端部35の間に連続して析出させて上部配線間を接続する上部配線接続工程とを有することを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
配線が断線又は半断線した断線又は半断線個所に金属錯体を含む溶液または塗膜を供給し、この供給された断線又は半断線個所にレ-ザ光を照射して前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を前記断線又は半断線された配線の端部を覆って該端部の間に連続して析出させて前記配線の間を接続することを特徴とする配線の断線修正方法。
IPC (3件)：
G02F 1/1343
, G02F 1/13 101
, G02F 1/136 500
