特許
J-GLOBAL ID：200903049261472230
半導体装置およびその配線方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331416
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163130
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 上層と下層の配線を接続するコンタクト部の接続状態に起因する半導体装置の不良発生度合いを低減し、歩留りおよび信頼性の向上を図るとともに、コンタクト部に接続される配線長が長い場合でもコンタクト部の寿命を延ばす。【解決手段】 配線層115に設けられた端子111と、配線層115の上の配線層116に設けられた端子112とを接続する場合、端子111からx方向に延長した配線113を配線層115で形成し、端子112からy方向に延長した配線114を配線層116で形成する。配線113と配線114の交点でコンタクト部117を形成する。さらに、コンタクト部117から配線層115上で延長した配線118を形成し、新たにコンタクト部119を形成する。2個のコンタクト部117,119で上層の配線114と下層の配線113,118とが接続される。
請求項（抜粋）：
層間絶縁膜を介して上下に隣接する上層配線と下層配線とをコンタクト部で接続した半導体装置であって、前記上層配線および下層配線のうち少なくとも一方の配線の終端部分を他方の配線の長手方向に重なるように延伸し、この重なり領域に前記コンタクト部を複数個設けたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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