特許
J-GLOBAL ID：200903059625957850

配線及び半導体装置

発明者：
アンソニー・ホッブス

アンソニー・ホッブス について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-238919
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107142
出願日： 1994年10月03日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、配線金属としてアルミニウム(Al)等エレクトロマイグレーションの生じやすい金属を用いた多層配線に関し、配線金属原子のマイグレーションにより配線層が断線に至る時間を長くする。【構成】 第1の配線層13上、カソード側の領域において第1の配線層13の長手方向に並立する複数の接続導体18a〜18cを介して第1の配線層13と第2の配線層19とが接続されてなる。
請求項（抜粋）：
第1の配線層上、カソード側の領域において前記第1の配線層の長手方向に並立する複数の接続導体を介して前記第1の配線層と第2の配線層或いは電極とが接続されてなることを特徴とする配線。
引用特許：
審査官引用 (6件)
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