特許
J-GLOBAL ID：200903049264949607
3-5族窒化物半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-067012
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243090
出願日： 2006年03月13日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】高品質の自立3-5族窒化物半導体基板を低コストで容易に得る。【解決手段】下地基板1上に配置された無機粒子2をエッチングマスクとして下地基板1をドライエッチング処理して下地基板1の表面に無機粒子2の形状に対応した凸部1Bを形成した後、下地基板1上にエピタキシャル成長マスク用の被膜3を形成する。しかる後、凸部1Bの上に残留している無機粒子2を除去することによって凸部1Bの各頂部において下地基板1を露出させ、各頂部の下地基板露出面から3-5族窒化物半導体を成長させて3-5族窒化物半導体層5を形成した後、3-5族窒化物半導体層5を下地基板1から分離して、自立3-5族窒化物半導体基板を得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
3-5族窒化物半導体基板の製造方法において、下地基板上に配置された無機粒子をエッチングマスクとして該下地基板をドライエッチング処理して前記下地基板表面に前記無機粒子の形状に対応した凸部を形成した後、前記下地基板上にエピタキシャル成長マスク用の被膜を形成し、しかる後、前記凸部の上に残留している前記無機粒子を除去することによって前記凸部の各頂部において前記下地基板を露出させ、前記各頂部の下地基板露出面から3-5族窒化物半導体を成長させて3-5族窒化物半導体層を形成し、、しかる後、該3-5族窒化物半導体層を前記下地基板から分離するようにしたことを特徴とする3-5族窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01S 5/323
, C30B 29/38
, C30B 25/02
H01L33/00 C
, H01S5/323 610
, C30B29/38 D
, C30B25/02 Z
4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077DB08
, 4G077DB21
, 4G077EA02
, 4G077EA06
, 4G077ED06
, 4G077EE03
, 4G077EE07
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
, 5F041AA40
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AP04
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AP23
, 5F173AP33
, 5F173AP47
, 5F173AQ02
, 5F173AR82
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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