特許
J-GLOBAL ID：200903013636718831
半導体結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-210807
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055799
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】下地基板から独立した良質のIII族窒化物系化合物半導体結晶を得ること。【解決手段】選択ドライエッチングにより、ストライプ状の凸部を形成する(b)。サファイア基板を約0.5μmエッチングした。凹部の底面以外の、凸部の側面及び上面に二酸化ケイ素(SiO2)から成るエピ成長防止膜202を形成して凹部の底面のみを露出させる(c)。GaN単結晶から成る目的の半導体結晶2AをHVPE法により形成する(d)。半導体結晶2Aを1.5°C/分の冷却速度で1100°Cから略室温までゆっくりと冷却する。サファイア基板201の凹部の底面と半導体結晶2Aの界面付近で剥離が生じ、サファイア基板201から独立した目的の膜厚の半導体結晶2A(GaN単結晶)が得られた(e)。半導体結晶2A(GaN単結晶)はサファイア基板201の凹凸に対応する凹凸を裏面に有する半導体結晶である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
下地基板上にIII族窒化物系化合物半導体から成る半導体結晶を成長させ、前記下地基板から独立した良質の半導体結晶を得る方法であって、
下地基板に突起部分又は凹凸を設ける基板加工工程と、
下地基板の突起部分の頂上又は凸部の上面部分を残し、突起部分又は凸部の側面部分及び凹部の底にエピ成長防止膜を形成するエピ成長防止膜形成工程と、
前記エピ成長防止膜の形成されていない下地基板の突起部分の頂上又は凸部の上面部分を前記半導体結晶が結晶成長し始める最初の結晶成長面とし、この結晶成長面が結晶成長により各々互いに連結されて少なくとも一連の略平面に成長するまで、前記半導体結晶を結晶成長させる結晶成長工程と、
前記エピ成長防止膜の形成されていない下地基板の突起部分の頂上又は凸部の上面部分において破断により半導体結晶と前記下地基板とを分離する分離工程と
を有することを特徴とする半導体結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
5F041AA40
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA62
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AF03
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA10
, 5F045DB02
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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