フラッシュメモリ内のエラーから復旧するための方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西正悟
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-537310
公開番号（公開出願番号）：特表2009-515281
出願日： 2006年10月24日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】一つ以上のフラッシュメモリ・セルからデータを読み取るための、そして読み取りエラーから復旧するための、方法、デバイスおよびコンピュータで読み込み可能なコードを開示する。【解決手段】エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した場合、例えばエラー訂正が成功するまで、少なくとも一度、一つ以上の修正基準電圧を用いて、フラッシュメモリ・セルの再読み出しを行う。いくつかの実施例においては、エラー訂正が成功した後、当座の間フラッシュメモリ・セルにデータ(例えば、読み出したデータの信頼可能な値)を再書き込みすることなく、以降の読み出しリクエストを処理する。エラーを訂正した読み取りに関する基準電圧をメモリに記憶して、以降の読み出しリクエストに応答するときに読み出してもよい。いくつかの実施例においては、修正基準電圧は、予め定めた基準電圧である。代替的に、または追加的に、これらの修正基準電圧は、必要に応じ、例えばランダムに算出した値を用いて、あるいはエラー検出訂正モジュールが提供する情報に応じて決定してもよい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数のフラッシュメモリ・セルおよびエラー検出訂正モジュールからなるシステムにおいて、 a)複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取ること、 b)エラー検出訂正モジュールを用いて、前記読み取ったデータ・ビットのエラーを訂正しようと試みること、 c)エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した場合、モジュールが前記エラーの訂正を成功させるまで、少なくとも一度、少なくとも一つの修正基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットの再読み出しを行うこと、そして d)メモリ・セルに前記データ・ビットを当座の間再書き込みすることなく、前記データ・ビットに対するステップ(a)、(b)および(c)を繰り返すことからなる、データを読み取る方法。

IPC (3件)：

G11C 16/06 , G06F 12/16 , G11C 16/02

FI (6件)：

G11C17/00 634E , G06F12/16 320M , G06F12/16 310G , G11C17/00 601Q , G11C17/00 639C , G11C17/00 639Z

Fターム (13件)：

5B018GA04 , 5B018HA14 , 5B018KA12 , 5B018NA06 , 5B018PA03 , 5B018QA14 , 5B125BA01 , 5B125BA19 , 5B125CA21 , 5B125CA28 , 5B125DE08 , 5B125EG16 , 5B125FA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

メモリ制御回路及びメモリ制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-049487 出願人：エヌイーシーマイクロシステム株式会社
特開平4-337857
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-433636 出願人：松下電器産業株式会社

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