特許
J-GLOBAL ID：200903049352228030

半導体装置およびその製造方法

発明者：
加藤 樹理

加藤 樹理 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-013060
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209786
出願日： 2004年01月21日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 ガラス基板などの上に半導体層が形成設けられた薄膜トランジスタを形成する場合に有用な半導体装置およびその製造方法に関する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体層26を単結晶化する際の起点となる第1溝部22aと、アライメントの際の照準となり、該第1溝部22aと比して大きい幅を有する第2溝部22bとが設けられた絶縁層20と、 前記絶縁層20の上方に設けられた半導体層26と、を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体層を単結晶化する際の起点となる第1溝部と、アライメントの際の照準となり、該第1溝部と比して大きい幅を有する第2溝部とが設けられた絶縁層と、 前記絶縁層の上方に設けられた半導体層と、を含む、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336
FI (3件)：
H01L29/78 626C ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627G
Fターム (28件)：
5F052AA02 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052EA11 ,  5F052FA15 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG44 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ15 ,  5F110HM15 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-206150   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (2件)

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