特許
J-GLOBAL ID：200903081551646209
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-206150
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087243
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【目的】 単結晶に匹敵する結晶性を有する半導体薄膜およびそれを用いて形成した活性層を有する半導体装置を得る。【構成】 非晶質珪素膜104の下面に接する酸化珪素膜102に意図的に凹または凸パターン103を設け、結晶化を助長する金属元素が偏析し易いサイトを形成する。すると凹または凸パターン103を配置した位置に結晶核を選択的に形成する事が可能となり、結晶粒径を制御することができる。また、こうして得られた結晶性珪素膜109に対してレーザー光またはそれと同等のエネルギーを持つ強光を照射して、実質的に結晶粒界が存在しないモノドメイン領域を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置の作製方法において、絶縁表面上に酸化珪素膜を形成する工程と、前記酸化珪素膜を所定の形状にパターニングして凹または凸パターンを設ける工程と、前記酸化珪素膜上に非晶質半導体膜を成膜する工程と、前記非晶質半導体膜に対して結晶化を助長する金属元素を保持させる工程と、加熱処理により前記非晶質半導体膜を結晶性半導体膜に結晶化する工程と、前記結晶性半導体膜にレーザー光または強光を照射して前記結晶性半導体膜をモノドメイン領域に変成させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
