特許
J-GLOBAL ID：200903049365367412
不揮発性半導体記憶装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-315769
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163348
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 ONO膜に部分的な厚膜化が生じ、カップリング比が下がるため、フローティングゲート電極に対する電子の書き込み/消去効率が低下する。【解決手段】 半導体基板1上にトンネル絶縁膜4を窒素雰囲気中で形成し、トンネル酸化膜4と半導体基板1との界面に窒素を介在させる。トンネル絶縁膜及びフローティングゲート電極を順次形成し、その後、該フローティングゲート電極に窒素を注入し、その後、フローティングゲート電極上に上記層間容量膜を堆積させ、熱処理を行うことにより、トンネル酸化膜とフローティングゲート電極との界面及び上記フローティングゲート電極と層間容量膜との界面に窒素を介在させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にトンネル絶縁膜を介して形成されたフローティングゲート電極と、該フローティングゲート電極上に層間容量膜を介して形成されたコントロールゲート電極とを有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、上記半導体基板と上記トンネル絶縁膜との界面、該トンネル絶縁膜と上記フローティングゲート電極との界面、該フローティングゲート電極と上記層間絶縁膜との界面、該層間絶縁膜と上記コントロールゲート電極との界面のうち、少なくとも一の界面に窒素を介在させることを特徴とする、不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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