特許
J-GLOBAL ID：200903038024414569

半導体装置の製造方法

発明者：
牛山 雅弘

牛山 雅弘 について

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峰 利之

峰 利之 について

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大路 譲

大路 譲 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330527
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193059
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【構成】 絶縁膜形成用ガスとして、N2O、NO、NO2のうちの少なくとも1つを含有する酸化性ガスと非反応性ガスの混合ガスを用いる。特に、非反応性ガスはN2 、Ar、He等を含有するものとする。N2O、NO、NO2の合計濃度は、3%から20%の範囲で大きな効果がある。【効果】 N2O、NO、NO2等を非反応性ガスで希釈して酸化と同時に窒素を絶縁膜中に導入することにより、高電界ストレスを受けても絶縁膜中で新たな準位が生成しにくい膜が得られる。これにより、フラッシュメモリで書換えを繰り返しても書換え時間の増大や情報の漏洩が起こりにくいメモリセルが得られる。
請求項（抜粋）：
Si基板もしくはSi膜上に設けられた半導体装置に用いる絶縁膜の形成工程を含む半導体装置の製造方法において、絶縁膜形成用ガスは、N2O、NO、NO2のうちの少なくとも1つを含有する酸化性ガスと非反応性ガスの混合ガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 21/265 L ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (6件)
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