マスクパターン補正方法および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-328935
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133214
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】入射光を選択的に反射する反射型マスクを介して被露光体であるウエハ上への露光を行う場合に、光の反射時における回折光の違いに起因する転写像の位置ずれ等を適切に補正し得るようにする。【解決手段】少なくとも入射光の射影ベクトルと直交する第1のパターン構成要素および当該射影ベクトルの方向と平行な第2のパターン構成要素を有してなる基準マスクパターンを用意し、その基準マスクパターンを介して被試験体に対する第1の露光を行った後に、当該被試験体を90°または180°回転させた状態で、前記基準マスクパターンを介して第2の露光を行う。そして、第1の露光による前記被試験体上の転写像と前記第2の露光による前記被試験体上の転写像との位置ずれ量を測定し、その測定結果に基づいて反射型マスクのマスクパターンに関する補正を行う。

請求項（抜粋）：

入射光を選択的に反射する回路パターンを具備した反射型マスクを介して被露光体上への露光を行うのにあたって用いられるマスクパターン補正方法であって、少なくとも前記入射光のマスク面上への射影ベクトルの方向と直交する辺を具備する第1のパターン構成要素および当該射影ベクトルの方向と平行な辺を具備する第2のパターン構成要素を有してなる基準マスクパターンを用意し、前記基準マスクパターンを介して被試験体に対する第1の露光を行い、前記第1の露光後の被試験体を前記入射光の射影ベクトルの方向に対して90°または180°回転させた状態で、前記基準マスクパターンを介して当該被試験体に対する第2の露光を行い、前記第1の露光によって前記基準マスクパターンのパターン構成要素が前記被試験体上に転写された位置と、前記第2の露光によって前記基準マスクパターンのパターン構成要素が前記被試験体上に転写された位置とを比較して、それぞれの間の位置ずれ量を測定し、前記位置ずれ量の測定結果に基づいて、前記反射型マスクのマスクパターンに関する補正を行うことを特徴とするマスクパターン補正方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G01B 21/00 , G03F 1/08 , G03F 1/16 , G03F 7/20 503

FI (5件)：

G01B 21/00 D , G03F 1/08 D , G03F 1/16 A , G03F 7/20 503 , H01L 21/30 531 M

Fターム (18件)：

2F069AA17 , 2F069BB15 , 2F069CC06 , 2F069EE20 , 2F069EE26 , 2F069GG04 , 2F069GG08 , 2F069GG18 , 2F069HH30 , 2F069MM23 , 2H095BA10 , 2H095BB02 , 2H095BB11 , 2H097CA15 , 2H097LA10 , 5F046AA25 , 5F046GA18 , 5F046GD10

引用特許：

審査官引用 (5件)

光学素子およびそれを用いた投影露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-294798 出願人：株式会社日立製作所
X線マスク、X線露光装置、X線露光方法、及び、X線転写歪測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-175677 出願人：富士通株式会社
露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-094317 出願人：株式会社ニコン

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