特許

J-GLOBAL ID：200903049390687561

レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法

発明者： サイディン,ザイン・ケイ ,  シオン,ヤリン ,  グラッサー,ランス ,  ヘス,カール ,  プレイル,モッシェ・イー
出願人/特許権者： ケーエルエー-テンカー テクノロジィース コーポレイション
代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-551534
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519981
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法が提供される。1方法は、レチクル設計データがレチクル製造プロセスを使用してどのようにレチクル上にプリントされるかを示す第1シミュレートイメージを生成する段階を含む。また本方法は、第1シミュレートイメージを使用して第2シミュレートイメージを生成する段階を含む。第2シミュレートイメージは、レチクルがウェーハプリントプロセスの1つ又はそれ以上のパラメータの種々の値でどのようにウェーハ上にプリントされるかを示す。更に、第2シミュレートイメージを使用してレチクル設計データにおける欠陥を検出する段階を含む。別の方法は、種々の値の関数として第2シミュレートイメージの特性における変化率を求める段階に加えて上述の生成ステップを含む。この方法はまた、変化率に基づいてレチクル設計データにおける欠陥を検出する段階を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法であって、 レチクル製造プロセスを使用してレチクル設計データがレチクル上にどのようにプリントされるかを示す第1シミュレートイメージを生成する段階と、 前記第1シミュレートイメージを使用して、ウェーハプリントプロセスの1つ又はそれ以上のパラメータの種々の値で前記レチクルがウェーハ上にどのようにプリントされるかを示す第2シミュレートイメージを生成する段階と、 前記第2シミュレートイメージを基準イメージと比較する段階を伴う、前記第2シミュレートイメージを使用して前記レチクル設計データにおける欠陥を検出する段階と、 を含むコンピュータに実装される方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F1/08 S ,  H01L21/30 502P

Fターム (9件)：

2H095BA01 ,  2H095BB01 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  2H095BD02 ,  2H095BD04 ,  2H095BD23 ,  2H095BD28 ,  2H095BD31

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 米国特許出願公開第2003/0119216A1公報
  
• 米国特許第6,373,975号公報
  
• 米国特許出願シリアル番号09/211,156公報
  
• 米国出願シリアル番号09/679,617公報
  
• 米国特許出願シリアル番号10/883,372公報
  
• 米国特許出願第11/003,291公報
  
• 米国特許出願シリアル番号10/778,752公報
  

審査官引用 (4件)

• 特許第6373975号
  
• マスク設計装置、マスク設計方法、プログラムおよび半導体装置製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-117085   出願人：富士通株式会社
• 目視検査及び照合システム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-512171   出願人：ニューメリカルテクノロジーズインコーポレイテッド
• リソグラフィシミュレーションのための装置および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-533885   出願人：ブリオンテクノロジーズ,インコーポレーテッド

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Identifying process window marginalities of reticle designs for 0.15/0.13-μm technologies