特許
J-GLOBAL ID：200903056011610332
マスク設計装置、マスク設計方法、プログラムおよび半導体装置製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-117085
公開番号（公開出願番号）：特開2003-315973
出願日： 2002年04月19日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：
【要約】【課題】 マスク設計装置によるマスクの設計を短期に行うことを可能にする。【解決手段】 作成手段20は、半導体基板上へ転写する露光パターン32の設計データ30からマスク上へ形成するマスクパターンデータ31を作成する。算出手段21は、作成手段20によって作成されたマスクパターンデータ31に対して所定の特性を有するフィルタを適用することにより、半導体基板上に転写される露光パターン32を算出する。補正手段22は、算出手段21によって算出された露光パターン32と、設計データ30とを比較し、作成手段20によって作成されるマスクパターンデータ31を補正する。
請求項（抜粋）：
半導体装置を製造する際のマスクを設計するマスク設計装置において、半導体基板上へ転写する露光パターンの設計データからマスク上へ形成するマスクパターンデータを作成する作成手段と、前記作成手段によって作成された前記マスクパターンデータに対して所定の特性を有するフィルタを適用することにより、半導体基板上に転写される露光パターンを算出する算出手段と、前記算出手段によって算出された露光パターンと、前記設計データとを比較し、前記作成手段によって作成される前記マスクパターンデータを補正する補正手段と、を有することを特徴とするマスク設計装置。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G06F 17/50 658
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G06F 17/50 658 M
, H01L 21/30 502 P
2H095BA01
, 2H095BB01
, 2H095BB31
, 5B046AA08
, 5B046BA05
