特許

J-GLOBAL ID：200903049391435221

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 楠 一彦 ,  亀井 一人 ,  矢代 将斉 ,  八内 昭博 ,  長谷部 光弘
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-087076
公開番号（公開出願番号）：特開2007-261843
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】良質なSiC単結晶を高い成長速度で製造する。【解決手段】SiC成長用の種結晶基板4を融液6に接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺において前記融液の過冷却により融液に溶解しているSiCを過飽和状態とすることによって前記種結晶基板上にSiC単結晶を成長させる液相成長法において、前記融液が(1)SiとCとV、または(2)SiとCとVとTiを含む。融液中のVの量は、SiとVの原子比を[V]/[Si]+[V]なる式で表して、0.1≦[V]/[Si]+[V]≦0.45を満たし、融液がさらにTiを含む場合のTiの量は、SiとTiの原子比を[Ti]/[Si]+[Ti]なる式で表して、0.1≦[Ti]/[Si]+[Ti]≦0.25を満たす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiとCとVとを含み、SiとVの原子比が、[V]/([Si]+[V])なる式で表して、0.1≦[V]/([Si]+[V])≦0.45の関係を満たす融液に、SiC成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺において前記融液の過冷却により融液に溶解しているSiCを過飽和状態とすることによって、前記種結晶基板上にSiC単結晶を成長させる、SiC単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/04

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/04

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EC08 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072033   出願人：株式会社日立製作所
• 炭化珪素単結晶とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-105567   出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072033   出願人：株式会社日立製作所
• 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164061   出願人：住友金属工業株式会社