特許
J-GLOBAL ID：200903049399377123

積層欠陥核生成部位を低減するリソグラフィ方法および積層欠陥核生成部位を低減した構造

発明者：
クリステル ハリン

クリステル ハリン について

, 
ハインツ レンデンマン

ハインツ レンデンマン について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-503906
公開番号（公開出願番号）：特表2007-529900
出願日： 2005年02月14日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
エピタキシャル炭化ケイ素層が、結晶学的方向に向かってオフアクシスに方向付けられた炭化ケイ素基板の表面内に形態を形成することによって作製される。これらの形態は、結晶学的方向に対して非平行(すなわち、斜めまたは直角)に方向付けられた少なくとも1つの側壁を備える。次いで、エピタキシャル炭化ケイ素層が、形態を備える炭化ケイ素基板の表面上に成長される。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル炭化ケイ素層を製造する方法であって、 所定の結晶学的方向に向かってオフアクシスに方向付けられた炭化ケイ素基板の表面内に複数の形態を形成するステップであって、前記複数の形態は、前記所定の結晶学的方向に対して非平行に方向付けられた少なくとも1つの側壁を備えるステップと、 前記複数の形態を備える前記炭化ケイ素基板の表面に前記エピタキシャル炭化ケイ素層を成長させるステップと を含むことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/42
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L21/302 105A ,  C23C16/42
Fターム (26件)：
4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DB19 ,  5F004EB08 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AF02 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DB09 ,  5F045HA03
引用特許：
出願人引用 (21件)
  • 米国特許出願第10/046346号明細書(米国特許出願公開第2003-0080842 Al明細書)
  • 米国特許出願第10/117858号明細書
  • 米国特許第4912063号明細書
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審査官引用 (3件)

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