特許
J-GLOBAL ID：200903049432454163
半導体ウェーハの分割方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐々木 功
, 川村 恭子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-010988
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228133
出願日： 2003年01月20日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】薄く形成され剛性が低下する半導体ウェーハを個々のチップに分割する場合の、取り扱いを容易化して半導体ウェーハの損傷を防止する。【解決手段】表面に複数の回路が形成された半導体ウェーハWを個々の回路ごとのチップに分割する場合、半導体ウェーハWを支持する第一の支持基板11の上面に半導体ウェーハWの表面を対面させ、粘着剤10を介して半導体ウェーハWと第一の支持基板11とを一体とし、第一の支持基板11と一体となった状態で裏面を研磨し、第二の支持基板の上面に半導体ウェーハWの裏面を対面させ、粘着剤を介して半導体ウェーハと第二の支持基板とを一体とし、第一の支持基板11を剥離し、表面を露出させた状態で、第二の支持基板に半導体ウェーハWを移し替え、一体となった半導体ウェーハWを個々のチップに分割する。半導体ウェーハWは常に第一の支持基板または第二の支持基板に支持されているため、損傷することがない。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
表面に複数の回路が形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体ウェーハの分割方法であって、
半導体ウェーハを支持する第一の支持基板の上面に半導体ウェーハの表面を対面させ粘着剤を介して該半導体ウェーハと該第一の支持基板とを一体とする第一の一体化工程と、
該第一の支持基板と一体となった状態の半導体ウェーハの裏面を研磨する研磨工程と、
半導体ウェーハを支持する第二の支持基板の上面に該半導体ウェーハの裏面を対面させ粘着剤を介して該半導体ウェーハと該第二の支持基板とを一体とする第二の一体化工程と、
該第一の支持基板を半導体ウェーハの表面から剥離し、該半導体ウェーハの表面を露出させた状態で、該第二の支持基板に該半導体ウェーハを移し替える移し替え工程と、
該第二の支持基板と一体となった半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する分割工程と、
から構成される半導体ウェーハの分割方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/78 M
, H01L21/78 P
