半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370325
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195825
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】基板の割れやチッピングの発生を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】回路形成用のシリコン基板1を用意するとともに、支持基板としてのシリコン基板2を用意する。そして、シリコン基板2の表面に酸化膜3を形成したのち、酸化膜3を活性化させてシリコン基板1とシリコン基板2とを貼り合わせる。次に、シリコン基板2と一体のままでシリコン基板1を薄肉化させる。そして、選択エッチングにて薄肉化させたシリコン基板1に溝6を形成し、シリコン基板1をチップ単位に分割する。続いて、溝6内を埋め込み酸化膜7にて埋め込んだのち、チップ単位に分割されたシリコン基板1に回路部8を形成する。そして、埋め込み酸化膜7および貼り合わせ用の酸化膜3を除去することにより、シリコン基板1をシリコン基板2から分離する。

請求項（抜粋）：

回路基板(1)を支持基板(2)と接合して補強する工程と、前記回路基板(1)を薄膜化する工程と、薄膜化した前記回路基板(1)を前記支持基板(2)に支持させた状態で、前記回路基板(1)内に確定される複数の回路形成領域が前記回路基板(1)の他の前記回路形成領域から空間を隔てて分離されるように、個々のチップ状に分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-062267 出願人：関西日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-283383 出願人：三菱電機株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-207669 出願人：日本電信電話株式会社

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