成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-185655
公開番号（公開出願番号）：特開2007-039806
出願日： 2006年07月05日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】ステップカバレジと成膜レートとを共に高く維持することができる成膜方法を提供する。【解決手段】真空引き可能になされた処理容器4内に、高融点金属有機原料ガスと窒素含有ガスあるいはシリコン含有ガスあるいは炭素含有ガスのいずれか1つ、或いは複数よりなるガスとを供給して被処理体の表面に高融点金属の窒化、珪化、炭化のいずれか1つ、或いは複数よりなる膜である金属化合物膜の薄膜を形成する成膜方法において、前記高融点金属有機原料ガスを供給する工程と前記窒素含有ガス或いはシリコン含有ガス或いは炭素含有ガスのいずれか1つ、或いは複数よりなるガスを供給する工程とを交互に行うと共に、前記被処理体の温度を前記高融点金属有機原料の分解開始温度以上の温度に維持する。これにより、ステップカバレジと成膜レートとを共に高く維持する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

真空引き可能になされた処理容器内に、高融点金属有機原料ガスと窒素含有ガスあるいはシリコン含有ガスあるいは炭素含有ガスのいずれか1つ、あるいは複数よりなるガスとを供給して被処理体の表面に高融点金属の窒化、珪化、炭化のいずれか1つ、あるいは複数よりなる膜である金属化合物膜の薄膜を形成する成膜方法において、前記高融点金属有機原料ガスを供給する工程と前記窒素含有ガスあるいはシリコン含有ガスあるいは炭素含有ガスのいずれか1つ、あるいは複数よりなるガスを供給する工程とを交互に行うと共に、前記被処理体の温度を前記高融点金属有機原料の分解開始温度以上の温度に維持するようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 16/34 , C23C 16/42 , C23C 16/32 , H01L 21/285

FI (4件)：

C23C16/34 , C23C16/42 , C23C16/32 , H01L21/285 C

Fターム (28件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA10 , 4K030AA11 , 4K030AA12 , 4K030AA13 , 4K030BA10 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA22 , 4K030BA36 , 4K030BA38 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030HA15 , 4K030JA10 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 4M104BB29 , 4M104BB32 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104HH13 , 4M104HH14

引用特許：

出願人引用 (4件)

高融点金属窒化シリコンの周期的堆積
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-551340 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
アモルファス導電性拡散バリアを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-161493 出願人：シャープ株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-068170 出願人：東京エレクトロン株式会社

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審査官引用 (1件)

遷移金属炭化物の堆積
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-532259 出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド, エイエスエムマイクロケミストリオーワイ

引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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