特許
J-GLOBAL ID：200903049472370132

半導体発光装置の製造方法

発明者：
干野 哲朗

干野 哲朗 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-024294
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219566
出願日： 1996年02月09日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 n型GaAs基板が用いられる半導体発光装置において、その破断面の表面性の向上をはかって、信頼性が高く、歩留りの高い半導体発光装置を得ることができるようにする。【解決手段】 n型GaAs基板21上に、少なくとも第1のクラッド層3と、活性層4と、第2のクラッド層5とによる積層半導体層をエピタキシャル成長する工程と、上記GaAs基板21上に、上記積層半導体層が形成された半導体ウエーファを破断する工程とを採って目的とする半導体発光装置を得るものであり、特に、そのn型GaAs基板のn型ドーパントの濃度を、5.0×1018cm-3以上の濃度に選定する。
請求項（抜粋）：
n型GaAs基板上に、少なくとも第1のクラッド層と、活性層と、第2のクラッド層とによる積層半導体層をエピタキシャル成長する工程と、上記GaAs基板上に、上記積層半導体層が形成された半導体ウエファを破断する工程とを有し、上記n型GaAs基板のn型ドーパントの濃度を、5.0×1018cm-3以上の濃度に選定したことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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