特許
J-GLOBAL ID：200903049492166752
半導体レンズおよびそれを用いた赤外線検出装置、半導体レンズの製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-319038
公開番号（公開出願番号）：特開2007-292720
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】レンズ部以外の部位であるベース部を通して赤外線検出素子の受光面へ赤外線が入射するのを防止することが可能な半導体レンズおよびそれを用いた赤外線検出装置、半導体レンズの製造方法を提供する。【解決手段】赤外線検出装置は、赤外線検出素子1と、当該赤外線検出素子1を収納するパッケージ2とを備えている。半導体レンズ3は、パッケージ2において赤外線検出素子1の受光面の前方に形成された矩形状の透光窓23を覆うようにパッケージ2の内側から配設される。半導体レンズ3は、赤外線検出素子1の受光面へ赤外線を集光するレンズ部3a以外の部位であるベース部3bの外周形状が矩形状に形成されている。また、半導体レンズ3は、透光窓23の内側に位置するベース部3bを通して赤外線検出素子1の受光面へ入射しようとする赤外線を吸収することで阻止する赤外線阻止層3cを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
赤外線検出素子を収納するパッケージにおいて赤外線検出素子の受光面の前方に形成された透光窓を覆うようにパッケージの内側から配設され、赤外線検出素子の受光面へ赤外線を集光するレンズ部を有する半導体レンズであって、透光窓の内側に位置するレンズ部以外の部位であるベース部に、赤外線を吸収することで赤外線を阻止する赤外線阻止層が設けられてなることを特徴とする半導体レンズ。
IPC (4件)：
G01J 1/02
, G01J 1/06
, G02B 1/10
, G02B 5/22
G01J1/02 H
, G01J1/06 A
, G02B1/10 Z
, G02B5/22
2G065AA04
, 2G065AB02
, 2G065BA11
, 2G065BA12
, 2G065BA13
, 2G065BA37
, 2G065BB06
, 2G065BB46
, 2G065CA01
, 2G065CA23
, 2H048CA05
, 2H048CA09
, 2H048CA12
, 2H048CA20
, 2K009AA03
, 2K009BB01
, 2K009CC03
, 2K009DD03
, 2K009DD04
出願人引用 (3件)
審査官引用 (15件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)
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3D Structuring of c-Si using porous Silicon as sacrificial Material
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3D Structuring of c-Si using porous Silicon as sacrificial Material
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