特許
J-GLOBAL ID：200903049533247622

レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
武田 隆信

武田 隆信 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-042472
公開番号（公開出願番号）：特開2006-227398
出願日： 2005年02月18日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【解決手段】 下記一般式(1)で示されるフェノール基を有するフラーレン類を添加することを特徴とするレジスト材料。 【化1】(式中、Rは水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基、R1〜R5は水素原子又は酸不安定基である。a、b、c、d、eはそれぞれ0〜2の整数であり、1≦a+b+c+d+e≦10の整数である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、その上、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されるフラーレン類を含有することを特徴とするレジスト材料。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (16件)：
2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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