特許
J-GLOBAL ID:200903006508277540

レジスト組成物及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-149744
公開番号(公開出願番号):特開平10-282649
出願日: 1997年06月06日
公開日(公表日): 1998年10月23日
要約:
【要約】【課題】 半導体基板等の微細パタン形成において高精度な加工を実現する、高感度、高耐熱性、高強度のレジスト組成物とその製造方法を提供する。【解決手段】 炭素原子の集合体を主たる構成要素とする微粒子を含有するレジスト組成物。基板上にレジスト膜を形成する第1の工程と、炭素原子の集合体を主たる構成要素とする微粒子を堆積する第2の工程とを繰り返して行うレジスト組成物の製造方法。上記炭素原子の集合体の例には、フラーレン、又はフラーレン誘導体がある。
請求項(抜粋):
レジストと、前記レジストに混入される、炭素原子の集合体を主たる構成要素とする微粒子とを有することを特徴とするレジスト組成物。
IPC (6件):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (6件):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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