半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤幸男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017848
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204632
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】半導体基板上の電気絶縁膜の膜厚の増大を招くことなく空乏層での降伏電圧値の向上を図ることにより、半導体装置に所定の耐圧性を与える。【解決手段】電界緩和手段として、半導体基板11上の電気絶縁膜14中で第1の不純物領域12の側へ伸長し、半導体基板11とほぼ同電位におかれる導電層18と、半導体基板11の表面に形成され、半導体基板11と同一の導電型を示し該半導体基板の不純物濃度よりも高くかつ第2の不純物領域13の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有し、第1の不純物領域12へ向けて伸長しかつ該第1の不純物領域と間隔をおいて形成される第3の不純物領域19とを設ける。さらに、第1の不純物領域12の側への導電層18の伸長端18aを、第1の不純物領域12の側への第3の不純物領域19の伸長端19aよりも第2の不純物領域13の側に位置させる。

請求項（抜粋）：

p型またはn型のいずれか一方の導電型を示す半導体基板と、p型またはn型の他方の導電型を示し、前記半導体基板の表面に設けられた電気絶縁膜上に伸びる電路を経て前記半導体基板との間に逆方向電位が印加される第1の不純物領域と、該第1の不純物領域から前記電路下を該電路に沿って伸長しようとする空乏層の伸びを抑制すべく、前記第1の不純物領域から間隔をおいて前記半導体基板の表面に形成され前記一方の導電型を示しかつ前記半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第2の不純物領域と、前記空乏層での電界の集中を防止する電界緩和手段とを含む半導体装置であって、前記電界緩和手段は、前記電気絶縁膜中で前記第2の不純物領域に対応する領域から当該領域を越えて前記第1の不純物領域の側へ伸長し、前記半導体基板とほぼ同電位におかれる導電層と、前記半導体基板の前記表面で第1および第2の不純物領域間に形成され、前記一方の導電型を示し前記半導体基板の不純物濃度よりも高くかつ前記第2の不純物領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有し、前記第2の不純物領域からまたはその近傍から前記第1の不純物領域へ向けて伸長しかつ該第1の不純物領域と間隔をおいて形成される第3の不純物領域とを備え、前記第1の不純物領域の側への前記導電層の伸長端は、前記第1の不純物領域の側への前記第3の不純物領域の伸長端よりも第2の不純物領域の側に位置することを特徴とする、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 , H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 21/76 S , H01L 29/06 , H01L 29/78 301 R , H01L 29/91 D

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-276459 出願人：横河電機株式会社
特開昭63-164362
特開昭61-003458

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