ナノカーボン材料配列構造の形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-352039
公開番号（公開出願番号）：特開2004-182537
出願日： 2002年12月04日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】カーボンナノチューブ等のナノカーボン材料の配列パターンを、基板上に容易に、制御性良く且つ高速に成長させる技術を提供する。【解決手段】従来の半導体デバイスプロセスとナノカーボン成長プロセスとを適切に組合わせることにより達成した。すなわち、Siやガラスなどの固体表面に微細な突起を形成し、この突起の先端など必要な部分のみを露出させて、残りの部分をレジスト膜で覆い、露出部分のみにナノカーボン材料形成に必要な触媒を塗布することにより、ごく限られた部分にのみナノカーボン材料を選択的に成長させ、ミクロンからナノメートルスケールのナノカーボン配列構造を形成する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

基板の表面が半導体、または非金属無機材料で構成される基板表面にナノカーボンを形成する方法において、所定の配列構造となるようエッチングまたはビーム加工により該基板表面に選択的に錘状体または帯状体突起を形成する工程であって、該突起の高さが10nm乃至100μで且つ該突起の上端の巾が500nm以下の微細突起を形成する工程と、該突起の先端部のみを露出させて残部を感光剤で覆った表面に鉄、コバルト、ニッケルまたはそれらの合金のいずれかを触媒用金属膜として蒸着した後、感光剤を除去する工程と、該触媒用金属膜の上にナノカーボン材料を成長させる工程とからなることを特徴とするナノカーボン材料配列構造の形成方法。

IPC (4件)：

C01B31/02 , B81C5/00 , B82B3/00 , C30B29/66

FI (4件)：

C01B31/02 101F , B81C5/00 , B82B3/00 , C30B29/66

Fターム (19件)：

4G077AA04 , 4G077BA02 , 4G077DB01 , 4G077EE06 , 4G077EE07 , 4G077TA02 , 4G077TC12 , 4G077TC17 , 4G146AA07 , 4G146AA11 , 4G146AC03A , 4G146AC03B , 4G146BA04 , 4G146BB23 , 4G146BC08 , 4G146BC09 , 4G146BC42 , 4G146BC43 , 4G146CB29

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