特許
J-GLOBAL ID：200903049621522706
p型のIII族窒化物半導体の製造方法、およびp型のIII族窒化物半導体用の電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-254965
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078332
出願日： 2006年09月20日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】安定性、再現性に優れたp型のIII 族窒化物半導体の製造方法。【解決手段】n- -GaN層11の表面に、フォトレジストマスク12を形成する(図1a)。次に、n- -GaN層11およびフォトレジストマスク12を覆うようにMg膜13を形成し、さらにMg膜13上にNi/Ptからなる金属膜14を形成する(図1b)。その後、フォトレジストマスク12を除去すると、n- -GaN層11のp型化させたい部分にのみ、Mg膜13と金属膜14が残る(図1c)。次に、アンモニア雰囲気中で900°C、3時間、熱処理を行うと、Mgがn- -GaN層11中に拡散し、同時に活性化する。したがって、p型領域15が形成される(図1d)。その後、王水によりMg膜13、金属膜14を除去する(図1e)。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくともアンモニアを含む雰囲気中でMgをIII 族窒化物半導体層に熱拡散させることにより、Mgを活性化してp型のIII 族窒化物半導体層を得ることを特徴とするp型のIII 族窒化物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/22 C
, H01L21/28 301B
4M104AA04
, 4M104BB05
, 4M104CC01
, 4M104DD91
, 4M104GG02
, 4M104GG11
, 4M104GG12
