半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-057285
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256645
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】選択成長により共振器を形成するGaN系半導体レーザを提供する。【解決手段】 (0001)面サファイア基板1上にn-GaNコンタクト層3を介してIn0.2Ga0.8N活性層5をn-Al0.1Ga0.9Nクラッド層4およびp-Al0.1Ga0.9Nクラッド層6で挟むダブルヘテロ構造を有している。p-Al0.1Ga0.9Nクラッド層6の上部には、p-GaNコンタクト層7を有し、p-GaNコンタクト層7側にはp側電極8が設けてある。活性層を含む半導体多層膜は、絶縁膜に形成した開口部に選択成長によって形成されているので、エッチングを用いなくても、選択成長により共振器ミラーが形成できる。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板主面上に形成された選択成長可能な膜と、前記選択成長可能な膜に形成された開口部と、前記開口部に形成された半導体多層膜とを備え、前記半導体多層膜の両端面が選択成長により形成された共振器になっている、半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-121878 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-194455 出願人：株式会社日立製作所
半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106324 出願人：松下電器産業株式会社

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