特許
J-GLOBAL ID：200903049701786275
レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-333223
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142114
出願日： 2005年11月17日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】ウェハの厚さやウェハ内の不純物濃度によることなく、良好な改質層の形成を容易に行うことのできるレーザダイシング方法およびレーザダイシング装置を提供する。【解決手段】支持基板に注入された不純物濃度の想定される範囲内における消衰係数を予め測定機器を通じて測定し、これを不純物濃度の2次関数として近似しておく。そして、貼り合せSOIウェハ10を構成する支持基板の内部に改質層を形成すべく、集光レンズ30にて集光されたレーザ光を同貼り合せSOIウェハ10の割断予定線に沿ってレーザ光を照射する。ただしその際、貼り合せSOIウェハ10のレーザ光の入光面から同レーザ光の集光点までの深さと貼り合せSOIウェハ10の消衰係数に基づき求められた同ウェハ10の吸収係数との乗数を指数とするネピア数の指数関数に比例するように、レーザ光源40のレーザ光出力を同深さに応じて可変設定する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
レーザ光源から出力されたレーザ光を割断予定線に沿ったウェハの内部に集光させて改質層を形成する照射工程と、前記改質層の形成された割断予定線に沿って前記ウェハを複数のチップに割断する割断工程とを備えるレーザダイシング方法であって、
前記照射工程でのレーザ光の照射に際しての前記レーザ光源のレーザ光出力を、前記ウェハの前記レーザ光の入光面から同レーザ光の集光点までの深さに応じて、該深さが深いほど大きくなるように可変設定する
ことを特徴とするレーザダイシング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/301
, B23K 26/38
, B23K 26/40
, B23K 26/00
H01L21/78 B
, B23K26/38 320
, B23K26/40
, B23K26/00 N
4E068AA01
, 4E068AE00
, 4E068CA02
, 4E068DA10
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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