特許
J-GLOBAL ID：200903049717766657
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-344340
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168059
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 コバルトシリサイドを形成しても、シリコン層の表面位置が基板深さ方向に大きく移動しないようにする。【解決手段】 シリコン基板100上に、ゲート電極となるポリシリコン膜103、サイドウォール104及びソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層105を形成する。次に、ポリシリコン膜103をエッチバックして凹部107を形成した後、コバルト膜108を堆積する。次に、例えば500°Cの第1の熱処理を行なって、ポリシリコン膜103の表面部及び不純物拡散層105の表面部にCoSi層110を形成した後、シリコン基板100の上に全面に亘ってシリコン膜111を堆積する。次に、例えば800°Cの第2の熱処理を行なって、ポリシリコン膜103の表面部及び不純物拡散層105の表面部にCoSi2層112を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されているシリコン層の上にコバルト膜を堆積する工程と、前記半導体基板に対して相対的に低い温度の第1の熱処理を施して、前記コバルト膜と前記シリコン層とを反応させることにより、前記シリコン層の少なくとも表面部にCo2Si 層又はCoSi層を形成する工程と、前記Co2Si 層又はCoSi層の上にシリコン膜を堆積する工程と、前記半導体基板に対して相対的に高い温度の第2の熱処理を施して、前記シリコン膜と前記Co2Si 層又はCoSi層とを反応させて、前記シリコン層の少なくとも表面部にCoSi2 層を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (13件)：
4M104BB01
, 4M104BB20
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD04
, 4M104DD33
, 4M104DD43
, 4M104DD79
, 4M104DD84
, 4M104FF14
, 4M104GG08
, 4M104GG14
, 4M104HH04
