特許

J-GLOBAL ID：200903049744479031

金属用研磨液及び研磨方法

発明者： 倉田 靖 ,  上方 康雄 ,  内田 剛 ,  寺崎 裕樹 ,  五十嵐 明子
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-323991
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144048
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 幅の広い金属配線部でのディッシング量を従来技術よりも小さくすることを可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ-ン形成を可能とする金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法を提供する。【解決手段】 金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、水溶性ポリマ及び水を含有する研磨液であり、幅100μmの金属埋め込み配線と幅100μmの絶縁膜とを交互に形成するパターン或いは幅10〜100μmの金属埋め込み配線と幅10〜100μmの絶縁膜とを交互に形成するパターンにおいて、配線部に埋め込むために成膜した金属膜が絶縁膜上で除去されるまで研磨した時の配線部金属の両側絶縁膜層からのへこみ量(ディッシング量)が100nm以下である金属用研磨液を使用する。

請求項（抜粋）：

金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、水溶性ポリマ及び水を含有する研磨液であり、幅100μmの金属埋め込み配線と幅100μmの絶縁膜とを交互に形成するパターン或いは幅10〜100μmの金属埋め込み配線と幅10〜100μmの絶縁膜とを交互に形成するパターンにおいて、配線部に埋め込むために成膜した金属膜が絶縁膜上で除去されるまで研磨した時の配線部金属の両側絶縁膜層からのへこみ量(ディッシング量)が100nm以下である金属用研磨液。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 13/04 102 ,  C09K 13/06

FI (6件)：

H01L 21/304 622 C ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 621 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 13/04 102 ,  C09K 13/06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-276937   出願人：株式会社日立製作所
• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-104882   出願人：株式会社日立製作所
• 研磨剤および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055290   出願人：株式会社東芝