特許
J-GLOBAL ID:200903049916055654
利得可変型低雑音増幅器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安孫子 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-164084
公開番号(公開出願番号):特開2009-005092
出願日: 2007年06月21日
公開日(公表日): 2009年01月08日
要約:
【課題】高周波入力信号レベルの強度に応じた適切な増幅利得の設定を可能とする。【解決手段】高周波入力信号レベルが弱電界の場合、増幅器バイパス用FET4はオフ状態とされる一方、第1及び第2の信号増幅用FET1,2並びに利得切り替えSW用FET3がオン状態とされ、第1及び第2の信号増幅用FET1,2は最大利得で増幅動作し、高周波入力信号レベルが中電界の場合、増幅器バイパス用FET4及び利得切り替えSW用FET3がオフ状態とされる一方、第1及び第2の信号増幅用FET1,2はオン状態とされ、その動作電流は、利得調整用インダクタ9及びバイアス調整用抵抗器10を流れるため、第1及び第2の信号増幅用FET1,2は、最大利得以下の所定の利得で増幅動作し、高周波入力信号レベルが強電界の場合、増幅器バイパス用FET4がオン状態とされるため、入力された高周波信号は、増幅されることなく出力されるようになっている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1及び第2の信号増幅用電界効果トランジスタにより高周波信号の増幅動作がなされるよう構成されてなる一方、入出力端子間において、前記第1及び第2の信号増幅用電界効果トランジスタをバイパスせしめる増幅器バイパス用電界効果トランジスタが設けられてなる利得可変型低雑音増幅器であって、
前記2つの信号増幅用電界効果トランジスタは、前記第1の信号増幅用電界効果トランジスタのドレインが前記第2の信号増幅用電界効果トランジスタのソースに接続され、前記第1の信号増幅用電界効果トランジスタが、そのゲートに高周波入力信号が印加可能に設けられ、前記第2の信号増幅用電界効果トランジスタのドレイン側に増幅信号が得られるよう設けられる一方、
前記第1の信号増幅用電界効果トランジスタのソースとグランドとの間に、当該第1の信号増幅用電界効果トランジスタの動作電流を調整する動作電流調整手段が設けられてなることを特徴とする利得可変型低雑音増幅器。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (7件):
5J100AA03
, 5J100BA04
, 5J100BB02
, 5J100BC02
, 5J100DA06
, 5J100EA02
, 5J100FA02
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
利得可変型増幅器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-058070
出願人:新日本無線株式会社
審査官引用 (6件)
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