III族窒化物系化合物半導体の結晶成長基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-002723
公開番号（公開出願番号）：特開2002-211999
出願日： 2001年01月10日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】【課題】転位やクラックの密度が低い高品質の結晶成長基板を得ること。【解決手段】 Si基板(下地基板)とその上に結晶成長させたGaN成長層(基板層)より成る基板のサンプルを、下地基板の厚さを可変パラメータとして多数試作し、その後、この基板を略常温まで冷却して、下地基板を基板層から剥離・除去することにより得られたGaN成長層、即ち、基板層のみから成る結晶成長基板の表面のクラック密度を測定した。例えば、基板層(GaN成長層)の膜厚を略7μmに決めたサンプルに関する測定結果(◆印)からも判る様に、Si基板を薄くする程その減少に伴ってクラック密度は著しく減少する。また、約200μmの下地基板を使用し、基板層の膜厚を7μm,50μm、及び200μmに設定した際の各サンプルのクラック密度からも判る様に、同じSi基板の厚さに対して、基板層を厚くする程クラック密度は著しく減少する。

請求項（抜粋）：

結晶成長基板の下地となる下地基板としてシリコン(Si)、又は炭化珪素(SiC)を用いた、 III族窒化物系化合物半導体の結晶成長基板の製造方法であって、前記下地基板の上に III族窒化物系化合物半導体より成る基板層を成長させ、前記下地基板と前記基板層を加熱又は冷却して、前記下地基板を前記基板層から剥離・除去することにより、残った前記基板層を前記結晶成長基板とすることを特徴とする III族窒化物系化合物半導体の結晶成長基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (40件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DA01 , 4G077ED06 , 4G077FJ03 , 5F041AA40 , 5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AA19 , 5F045AB06 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF11 , 5F045BB13 , 5F045CB02 , 5F045EB13 , 5F045EB15 , 5F045EJ02 , 5F045HA11

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体バルク単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-066797 出願人：三菱化学株式会社
窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-335580 出願人：エルジー電子株式会社
半導体の結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-240384 出願人：日立電線株式会社

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