半導体バルク単結晶の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：釜田淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066797
公開番号（公開出願番号）：特開2001-253794
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月18日
要約：

【要約】【課題】高品質の半導体バルク単結晶を効率よく大量に安価で製造することができる方法を提供すること。【解決手段】基礎基板の両面に半導体バルク単結晶を同時に成長させることを特徴とする半導体バルク単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

基礎基板の両面に半導体バルク単結晶を同時に成長させることを特徴とする半導体バルク単結晶の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 25/02 , H01L 21/26 , H01L 21/268 , H01L 33/00 , H01S 5/323 , C30B 29/38

FI (6件)：

C30B 25/02 Z , H01L 21/268 E , H01L 33/00 C , H01S 5/323 , C30B 29/38 D , H01L 21/26 E

Fターム (26件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB02 , 4G077DB05 , 4G077ED04 , 4G077FJ04 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077TB04 , 5F041AA31 , 5F041AA40 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA37 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA63 , 5F041CA64 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073DA02 , 5F073DA04 , 5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-322133 出願人：豊田合成株式会社
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-257070 出願人：住友電気工業株式会社
特開平2-248400

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