特許
J-GLOBAL ID：200903049958266132

微細構造体の処理方法、処理装置、及びその微細構造体

発明者：
平野 栄樹

平野 栄樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-311988
公開番号（公開出願番号）：特開2008-130685
出願日： 2006年11月17日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：
【課題】ウェーハ上に形成された微細構造体のパターンを崩壊させることなく乾燥処理を行えるようにした、微細構造体の処理方法と処理装置、及び微細構造体を提供する。【解決手段】湿式処理装置2によって処理された微細構造体の表面の微細構造部を、超臨界二酸化炭素の臨界圧力以上の環境下における融点が31°C以上である、置換媒体である固体物質による保護膜で被覆する工程と、微細構造体の表面の保護膜である固体物質を超臨界二酸化炭素で溶解除去して、微細構造体を乾燥する工程とを有する処理方法により、微細構造体を処理する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
湿式処理装置によって処理された微細構造体の表面の微細構造部を、超臨界二酸化炭素の臨界圧力以上の環境下における融点が31°C以上である、置換媒体である固体物質による保護膜で被覆する工程と、 前記微細構造体の表面の前記保護膜である固体物質を超臨界二酸化炭素で溶解除去して、前記微細構造体を乾燥する工程とを有する ことを特徴とする微細構造体の処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027 ,  F26B 7/00 ,  H01L 21/304 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40
FI (5件)：
H01L21/30 569F ,  F26B7/00 ,  H01L21/304 647Z ,  G03F7/30 501 ,  G03F7/40
Fターム (11件)：
2H096AA25 ,  2H096GA18 ,  2H096HA02 ,  2H096JA10 ,  3L113AA01 ,  3L113AB10 ,  3L113AC23 ,  3L113BA34 ,  3L113DA24 ,  5F046LA14 ,  5F046LA19
引用特許：
出願人引用 (3件)

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