特許
J-GLOBAL ID：200903085156970515
保護膜積層微細構造体および該構造体を用いた微細構造体の乾燥方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小谷 悦司
, 植木 久一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-134359
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140321
出願日： 2003年05月13日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】液化または超臨界流体で現像後の半導体基板等の微細構造体を乾燥するに当たり、基板等の微細構造体の表面が大気で自然乾燥しないようにして、パターンの倒壊等を防止する。【解決手段】高圧容器内で液化または超臨界流体を用いて微細構造体を乾燥する前の工程において用いられるものであって、微細構造体表面に高粘度物質による保護膜が形成されていることを特徴とする保護膜積層微細構造体である。
請求項（抜粋）：
高圧容器内で液化または超臨界流体を用いて微細構造体を乾燥する前の工程において用いられるものであって、微細構造体表面に高粘度物質による保護膜が形成されていることを特徴とする保護膜積層微細構造体。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 575
, C23C26/00 A
, H01L21/30 570
4K044AA01
, 4K044BA21
, 4K044BB01
, 4K044BC02
, 4K044CA53
, 4K044CA62
, 5F046LA14
, 5F046LA18
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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