特許
J-GLOBAL ID:200903023371477700

ウェハ等の処理設備および処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安田 敏雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-133004
公開番号(公開出願番号):特開2002-329650
出願日: 2001年04月27日
公開日(公表日): 2002年11月15日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウェハ、液晶基板等の生産において、湿式処理から超臨界乾燥の工程を、汎用性が高く、安定で生産性が高く、経済的要望を満足しうる、ウェハ等の処理システムを提供することにある。【解決手段】 その内部にウェハ等を収納して、現像、成膜、エッチング、洗浄等の湿式処理を行う少なくとも1基の湿式処理装置1と、その内部にウェハ等を収納して超臨界乾燥を行う少なくとも1基の超臨界乾燥装置2と、前記湿式処理装置1と前記超臨界乾燥装置2との間でウェハ等をその表面が濡れた状態で搬送を行う搬送装置3、とを備えている。
請求項(抜粋):
その内部にウェハ等を収納して、現像、成膜、エッチング、洗浄等の湿式処理を行う少なくとも1基の湿式処理装置と、その内部にウェハ等を収納して超臨界乾燥を行う少なくとも1基の超臨界乾燥装置と、前記湿式処理装置と前記超臨界乾燥装置との間でウェハ等をその表面が濡れた状態で搬送を行う搬送装置、とを備えていることを特徴とするウェハ等の処理設備。
IPC (9件):
H01L 21/027 ,  B65G 49/00 ,  B65G 49/07 ,  G03F 7/30 501 ,  H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 651 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/68
FI (10件):
B65G 49/00 A ,  B65G 49/07 C ,  G03F 7/30 501 ,  H01L 21/304 648 A ,  H01L 21/304 648 C ,  H01L 21/304 651 Z ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/30 569 F ,  H01L 21/306 J ,  H01L 21/30 570
Fターム (25件):
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096CA12 ,  2H096GA20 ,  2H096GA21 ,  2H096HA19 ,  5F031CA02 ,  5F031CA13 ,  5F031DA12 ,  5F031FA01 ,  5F031FA02 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA13 ,  5F031GA03 ,  5F031GA50 ,  5F031MA23 ,  5F031MA24 ,  5F031NA20 ,  5F031PA26 ,  5F043DD23 ,  5F043EE36 ,  5F046LA08 ,  5F046LA14 ,  5F046LA18
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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