交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219426
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031870
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【目的】従来におけるシードレイヤはCrを40at%以下含んだNiFeCr合金で形成されていたが、今後の高記録密度化に伴って前記シードレイヤ表面の濡れ性をさらに高めることが要望され、またNiFeCrのシードレイヤを使用すると、前記シードレイヤ上の各層表面の平滑性が悪化した。【構成】シードレイヤ22を、少なくとも一部に非晶質相を含んだ15Å以上で50Å以下の膜厚からなるCrで形成する。これによってシードレイヤ22表面の濡れ性を従来に比べて飛躍的に向上させることができ、固定磁性層3における一方向性交換バイアス磁界を大きくでき、また前記シードレイヤ上の各層の表面の平滑性を良好にすることが可能になる。

請求項（抜粋）：

下からシードレイヤ、反強磁性層、強磁性層の順に積層され、前記反強磁性層と強磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記シードレイヤはCrで形成され、少なくとも一部に非晶質相を含んでいることを特徴とする交換結合膜。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/32

FI (4件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/32 , G01R 33/06 R

Fターム (9件)：

2G017AC01 , 2G017AD55 , 2G017AD62 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034CA03 , 5E049BA16 , 5E049DB04

引用特許：

審査官引用 (7件)

磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-112220 出願人：日本電気株式会社
磁気抵抗効果膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-310579 出願人：三洋電機株式会社
磁気抵抗効果素子と、それを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生ヘッドおよび磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-229736 出願人：株式会社東芝

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