特許

J-GLOBAL ID：200903049963421464

固体撮像装置とその製造方法および撮像装置

発明者： 押山 到 ,  安藤 崇志 ,  檜山 晋 ,  山口 哲司 ,  大岸 裕子 ,  池田 晴美
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-265287
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306154
出願日： 2007年10月11日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

【課題】十分なホール蓄積層の実現と暗電流の低減とを両立させることを可能とする。【解決手段】入射光を光電変換する受光部12を有する固体撮像装置1において、前記受光部12の受光面12sに形成した界面準位を下げる膜21と、前記界面準位を下げる膜21上に形成した負の固定電荷を有する膜22とを有し、前記受光部12の受光面12s側にホール蓄積層23が形成されることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

入射光を光電変換する受光部を有する固体撮像装置において、 前記受光部の受光面に形成した界面準位を下げる膜と、 前記界面準位を下げる膜上に形成した負の固定電荷を有する膜とを有し、 前記受光部の受光面側にホール蓄積層が形成される ことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/148 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L27/14 A ,  H01L27/14 B ,  H01L31/10 A

Fターム (19件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118GC07 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049SE04 ,  5F049TA12 ,  5F049UA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平1-256168号公報
  

審査官引用 (4件)

• 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-276874   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-086342   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置,及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-328092   出願人：沖電気工業株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-165389   出願人：ソニー株式会社