特許
J-GLOBAL ID：200903009536838484

半導体装置,及び半導体装置の製造方法

発明者：
小松原 弘毅

小松原 弘毅 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-328092
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093897
出願日： 2003年09月19日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 素子分離を行った半導体装置において,寄生トランジスタによるリーク電流の影響をできるだけ小さくし,素子のハンプ特性を抑える。【解決手段】 素子領域Sのシリコン層130上にパッド酸化膜140,窒化膜150を順次形成する工程と,窒化膜150上及び素子分離領域Aのシリコン層130上に固定電荷を発生する金属酸化膜180を形成する工程と,酸化処理を施し,素子分離領域Aにフィールド酸化膜160を形成する工程と,窒化膜150上の金属酸化膜180と窒化膜150とパッド酸化膜140とを除去する工程と,を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法により,素子分離領域Aに形成される寄生トランジスタの閾値電圧を高くしてオンするのを防ぎ,ハンプ特性を抑えることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
素子の分離にLOCOS法を用いた半導体装置であって; 断面形状に傾斜部を有する素子分離領域のシリコン層と, 前記傾斜部を有する素子分離領域のシリコン層上に形成された,固定電荷を発生する金属酸化膜と, 前記金属酸化膜上に形成されたフィールド酸化膜と, を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L21/762 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L27/12
FI (4件)：
H01L21/76 D ,  H01L27/12 F ,  H01L21/76 M ,  H01L21/94 A
Fターム (16件)：
4M108AA09 ,  4M108AB04 ,  4M108AB09 ,  4M108AC13 ,  4M108AC51 ,  4M108AC53 ,  4M108AC55 ,  4M108AD13 ,  5F032AA01 ,  5F032AA13 ,  5F032AC04 ,  5F032BB01 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA77 ,  5F032DA78
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (6件)
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