特許
J-GLOBAL ID：200903049981401390

単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法

発明者：
河合 弘治

河合 弘治 について

, 
朝妻 庸紀

朝妻 庸紀 について

, 
船戸 健次

船戸 健次 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-184740
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018092
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 格子定数が大きく異なる下地の窒化物系の単結晶III-V族化合物半導体層上に高品質の窒化物系の単結晶III-V族化合物半導体層を所要の厚さに成長させることを可能とする。【構成】 単結晶のGaN層3上にMOCVD法により、まず560°C程度の低い成長温度でAl0.15Ga0.85Nバッファ層4を成長させた後、その上に例えば1000°Cの成長温度でAl0.15Ga0.85N層5を成長させる。
請求項（抜粋）：
少なくともGaおよびNを含む第1の単結晶III-V族化合物半導体層上にこの第1の単結晶III-V族化合物半導体層と異なる少なくともGaおよびNを含む第2の単結晶III-V族化合物半導体層を気相成長法により成長させるようにした単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法において、上記第1の単結晶III-V族化合物半導体層上に上記第2の単結晶III-V族化合物半導体層とほぼ同一の組成を有する非単結晶バッファ層を気相成長法により成長させ、上記非単結晶バッファ層上に上記第2の単結晶III-V族化合物半導体層を気相成長法により成長させるようにしたことを特徴とする単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法。
IPC (4件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (19件)
  • 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-079046   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 特開平4-192586
  • 特開平4-192586
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