特許
J-GLOBAL ID：200903049990742469
薄膜磁気ヘッドおよびこれを用いた磁気記録再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316860
公開番号（公開出願番号）：特開2001-134909
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 ヨーク型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、GMR、TMRなどの高い抵抗変化率の素子を用いつつ、ヨーク効率を維持するための磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】 磁路の少なくとも一部にスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を配置したヨーク型磁気抵抗効果再生ヘッドであって、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子が導電性の反強磁性体層を共有する少なくとも一対のスピンバルブ素子を含み、このスピンバルブ素子を、スピンバルブ巨大磁気抵抗効果素子およびスピンバルブトンネル磁気抵抗効果素子から選ばれる少なくとも一方とする。
請求項（抜粋）：
磁路の少なくとも一部にスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を配置したヨーク型磁気抵抗効果再生ヘッドであって、前記スピンバルブ型磁気抵抗効果素子が導電性の反強磁性体層を共有する少なくとも一対のスピンバルブ素子を含み、前記スピンバルブ素子が、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子およびスピンバルブ型トンネル磁気抵抗効果素子から選ばれる少なくとも一方であることを特徴とするヨーク型磁気抵抗効果再生ヘッド。
Fターム (6件)：
5D034AA02
, 5D034BA02
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA18
, 5D034BB01
