特許
J-GLOBAL ID:200903050004174421

半導体発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柿沼 伸司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-063785
公開番号(公開出願番号):特開2002-280601
出願日: 2001年03月07日
公開日(公表日): 2002年09月27日
要約:
【要約】【課題】発光光の指向性が高く高出力の、小型半導体発光素子を提供する。【解決手段】pn接合部を有する半導体発光素子において、光取り出し部の一部を導電性の低い遮光性物質で被覆する。遮光性物質の電気抵抗は、106Ωm以上とし、遮光性物質を、金属、顔料から選ばれた少なくとも1種以上の粉体を含むようにする。金属の粉体は、Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ti、Ni、Sn、Pb、Mg、Zn、Fe、Co、Crから選ばれた少なくとも1種を含むようにする。また粉体を、厚さが0.001μm〜10μmの範囲内で、長さが0.01μm〜100μmの範囲内の板状とする。
請求項(抜粋):
pn接合部を有する半導体発光素子において、素子の一部が遮光性を有する物質(以後、遮光性物質とする。)で被覆されていることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件):
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 E
Fターム (16件):
5F041AA04 ,  5F041AA06 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA85 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041EE24 ,  5F041FF01 ,  5F041FF14 ,  5F041FF16
引用特許:
審査官引用 (15件)
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