スパッタリングターゲット

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-254477
公開番号（公開出願番号）：特開2002-060934
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 Cu配線膜に対するバリア層として用いられるTaN膜などを、例えばバイアススパッタを適用して形成する場合に、長時間にわたって安定したプラズマ状態を実現する。【解決手段】高純度Taからなるスパッタリングターゲットである。このスパッタリングターゲットを構成する高純度Taは、自己維持放電特性を有するAg、AuおよびCuから選ばれる少なくとも1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有する。これら自己維持放電特性を有する元素はTaのイオン化を促進し、これによりプラズマ状態が安定する。自己維持放電特性を有する元素の含有量のバラツキは、ターゲット全体として30%以内とされている。

請求項（抜粋）：

高純度Taからなるスパッタリングターゲットであって、前記高純度Taは、Ag、AuおよびCuから選ばれる少なくとも1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 , C22C 27/02 103 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (5件)：

C23C 14/34 A , C22C 27/02 103 , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 R

Fターム (17件)：

4K029BA58 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC04 , 4K029DC21 , 4M104BB32 , 4M104DD38 , 4M104DD40 , 4M104DD42 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH20 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103RR10

引用特許：

出願人引用 (2件)

スパッタタ-ゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-180773 出願人：株式会社東芝
スパッタリング用ターゲット及びその製造方法ならびに高融点金属粉末材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-192994 出願人：日立金属株式会社

審査官引用 (2件)

スパッタリング用ターゲット及びその製造方法ならびに高融点金属粉末材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-192994 出願人：日立金属株式会社
スパッタタ-ゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-180773 出願人：株式会社東芝

引用文献：

出願人引用 (3件)

審査官引用 (3件)

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