赤外線センサ及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：池田憲保 , 福田修一 , 佐々木敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-049492
公開番号（公開出願番号）：特開2007-225532
出願日： 2006年02月27日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】ボロメータ用抵抗体として酸化バナジウムを使用した赤外線センサにおいて、量産に適ししかもTCRの改善に効果のある製造方法を提供する。【解決手段】本発明による赤外線センサの製造方法は、Si基板1上に絶縁材料によるブリッジ構造体2を形成する工程と、このブリッジ構造体上に、乾式成膜法により酸化バナジウム薄膜4を形成する工程と、形成された酸化バナジウム薄膜にレーザ光を照射することによりその材料特性を変化させる工程と、材料特性の変化した酸化バナジウム薄膜を所定パターンのボロメータ用抵抗体4’として形成する工程と、所定パターンに形成されたボロメータ用抵抗体及び前記ブリッジ構造体上を覆うように絶縁材料による保護層6を形成する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

赤外線の入射光を吸収することにより温度を変え、その温度変化により電気抵抗値を変えることによって該赤外線の放射強度の信号を読み出すボロメータ方式の赤外線センサの製造方法において、絶縁基板上に絶縁材料によるブリッジ構造体を形成する工程と、前記ブリッジ構造体上に、乾式成膜法により酸化バナジウム薄膜を形成する工程と、形成された酸化バナジウム薄膜にレーザ光を照射することによりその材料特性を変化させる工程と、材料特性の変化した酸化バナジウム薄膜を所定のパターンに形成する工程と、所定のパターンに形成された酸化バナジウム薄膜及び前記ブリッジ構造体上を覆うように絶縁材料による保護層を形成する工程と、を含むことを特徴とする赤外線センサの製造方法。

IPC (2件)：

G01J 1/02 , H01L 37/00

FI (2件)：

G01J1/02 C , H01L37/00

Fターム (4件)：

2G065AA04 , 2G065AB02 , 2G065BA12 , 2G065DA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

赤外線センサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-090696 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 水田進, 日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

赤外線センサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-090696 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 水田進, 日本電気株式会社
熱型赤外線センサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-286681 出願人：防衛庁技術研究本部長, 日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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