特許
J-GLOBAL ID：200903050087673866
シリコン単結晶ウエ-ハの製造方法およびシリコン単結晶ウエ-ハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-050396
公開番号（公開出願番号）：特開平11-322491
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 1999年11月24日
要約：
【要約】【課題】 CZ法によって作製されるシリコン単結晶ウエーハにおける、結晶欠陥の成長を抑制し、特にウエーハの表面積での結晶欠陥を低減すると共に、ウエーハのバルク部では酸素の析出を促進することによって、充分なIG効果を有するシリコン単結晶ウエーハを、高生産性で作製する製造方法を提供する。【解決手段】 チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハに熱処理を加えてウエーハ表面の窒素を外方拡散させることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。およびこの方法によって製造されたシリコン単結晶ウエーハ。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハに熱処理を加えてウエーハ表面の窒素を外方拡散させることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/06
, H01L 21/304 611
, H01L 21/322
, H01L 21/324
C30B 29/06 B
, H01L 21/304 611 Z
, H01L 21/322 Y
, H01L 21/324 X
