特許
J-GLOBAL ID：200903050148029957

高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置

発明者：
田牧 努

田牧 努 について

, 
鈴木 拓也

鈴木 拓也 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-083810
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311337
出願日： 2005年03月23日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】外部への高周波成分の漏洩を高周波パッケージ内で抑止するようにして、低コストで高周波シールド性能の高い高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置を得ること。【解決手段】多層誘電体基板23に、高周波半導体43のバイアス/制御信号用端子に接続され、電磁シールド部材24,25の内側に配設される信号ビア65と、電磁シールド部材24,25の外側に配設され、バイアス/制御信号用の外部端子51に接続される信号ビア65と、信号ビア間を接続する内層信号線路60と、信号ビア65および内層信号線路60の周囲に配される内層接地導体70と、内層接地導体70上であって、前記信号ビア65および内層信号線路60の周囲に配される複数のグランドビア75とを備えるとともに、内層信号線路60に、高周波半導体43で使用する高周波信号の実効波長の略1/4の長さを有する先端開放線路83を設ける。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
高周波半導体と、この高周波半導体を表層接地導体に載置する多層誘電体基板と、この多層誘電体基板の表層の一部および前記高周波半導体を覆う電磁シールド部材とを備える高周波パッケージにおいて、 前記多層誘電体基板に、 前記高周波半導体のバイアス/制御信号用端子に接続され、前記電磁シールド部材の内側に配設される第1の信号ビアと、 前記電磁シールド部材の外側に配設され、バイアス/制御信号用の外部端子に接続される第2の信号ビアと、 第1の信号ビアと第2の信号ビアを接続する内層信号線路と、 前記第1の信号ビア、第2の信号ビアおよび内層信号線路の周囲に配される内層接地導体と、 前記内層接地導体上であって、前記第1の信号ビア、第2の信号ビアおよび内層信号線路の周囲に配される複数のグランドビアと、 を備えるとともに、 前記内層信号線路に、前記高周波半導体で使用する高周波信号の実効波長の略1/4の長さを有する先端開放線路を設けるようにしたことを特徴とする高周波パッケージ。
IPC (2件)：
H01L23/12 ,  H01L23/02
FI (2件)：
H01L23/12 301Z ,  H01L23/02 H
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • ダイナミック出力制御回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-155683   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
審査官引用 (3件)

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