特許
J-GLOBAL ID：200903050148383769

窒化物系化合物半導体発光素子

発明者：
幡 俊雄

幡 俊雄 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-252500
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073619
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 窒化物系化合物半導体の製造プロセスにおいて、チップ分割する際に剥がれなどを発生させず、また、半導体層において短絡が発生せず、良好な特性および高い信頼性を有する窒化物系化合物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 本発明は、導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出していることを特徴とする、窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 E
Fターム (18件)：
5F041AA25 ,  5F041AA43 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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