特許
J-GLOBAL ID：200903050168256550

半導体装置およびその製造方法

発明者：
池田 良成

池田 良成 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-162594
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014599
出願日： 2002年06月04日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】半導体チップ、絶縁基板、冷却体(ヒートシンク)との各接合において、半田を用いない接合とすることで、高性能で高信頼性の半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体チップ11の裏面電極の最表面膜41aと絶縁基板15上の回路パターン15aの最表面膜41bを同一材料にして、半導体チップの最表面膜41aと回路パターンの最表面膜41bを互いに向き合せて、加圧しながら超音波振動させることで、最表面(界面)に形成された同一金属が互いに拡散し、半田レスで直接金属接合できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体チップの裏面に形成した裏面電極と、絶縁基板上に形成した回路パターン導板の各表面とを接続した半導体装置において、前記裏面電極と前記回路パターン導板を同一材料とし、互いの表面を接触させて直接金属接合することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78
FI (7件)：
H01L21/52 B ,  H01L21/52 C ,  H01L23/40 F ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/44 L
Fターム (28件)：
4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BC05 ,  5F036BC33 ,  5F044AA02 ,  5F044RR06 ,  5F044RR08 ,  5F047CB02
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • ダイボンディング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-125500   出願人：日本アビオニクス株式会社
  • 特開平1-273327
  • 特開昭47-030275
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