特許

J-GLOBAL ID：200903050177380957

基板処理方法および基板処理装置

発明者： 奥田 誠一郎 ,  杉本 洋昭
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-212948
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124502
出願日： 2001年07月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】基板に存在する有機物を、有機物の除去液で除去する基板処理方法において、基板からレジスト膜を除去する基板処理のスループットを向上させること。【解決手段】基板処理装置1では、基板Wに除去液を供給し、除去液の供給を停止させた後、基板Wに除去液の供給をしない状態で基板Wを回転させることで基板Wに付着する除去液を一旦振切る。そして、その上で基板Wに純水を供給する。これにより、中間リンス液を供給する工程を削除または短縮でき、スループットが向上し、コストが低減できる。

請求項（抜粋）：

レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって基板上に生成された反応生成物を除去する基板処理方法であって、ドライエッチング工程を経た基板に対して反応生成物を除去する除去液を供給する除去液供給工程と、除去液の供給を停止した状態で基板を回転させる除去液振切り工程と、除去液振切り工程後、基板に対して純水を供給する純水供給工程とを有する基板処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/306 S

Fターム (8件)：

5F043AA40 ,  5F043BB27 ,  5F043EE05 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE22 ,  5F043EE25 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体基板の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-349014   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 半導体装置の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-120314   出願人：川崎製鉄株式会社
• 半導体素子製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-132228   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 三菱瓦斯化学株式会社
• 基板洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-149531   出願人：ソニー株式会社