特許

J-GLOBAL ID：200903050179901903

銅メタライゼーションのためのALD窒化タンタルの集積

発明者： チュング, フア ,  マイティ, ニルマルヤ ,  ユ, ジック ,  モセリー, ロデリック, クライグ ,  チャング, メイ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-533817
公開番号（公開出願番号）：特表2007-502551
出願日： 2004年06月10日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

窒化タンタル/タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはPVDで堆積される。窒化タンタル/タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に金属配線を形成するための方法であって、 誘電体層に形成された部材を洗浄して、またプラズマを遠隔プラズマソースに発生させ、ラジカルを前記プラズマから、前記基板を含有する第1のプロセスチャンバに供給し、かつバリア層の堆積の前に、前記誘電体層に形成された前記部材を前記ラジカルに接触させることによって、前記誘電体層の下にある導電性材料を暴露するステップと、 第2のプロセスチャンバにおいて、1〜10トールの圧力かつ200〜300°Cの温度で、窒化タンタル層を前記部材内に原子層堆積法で堆積させるステップと、 第3のプロセスチャンバにおいて、タンタル層を前記窒化タンタル層上に物理気相堆積法で堆積させるステップと、 前記部材の底部の前記タンタル層と前記窒化タンタル層の少なくとも一部とを除去して前記導電性材料を露呈させるために、第4のプロセスチャンバにおいて前記タンタル層および前記窒化タンタルをプラズマエッチングするステップと、 追加タンタルまたは銅を前記タンタル層上に物理気相堆積法で場合によって堆積させるステップと、 第5のプロセスチャンバにおいて、シード層を前記導電性材料および前記タンタル層の上に堆積させるステップと、 を備え、 前記第1プロセスチャンバと、前記第2のプロセスチャンバと、前記第3のプロセスチャンバと、前記第4のプロセスチャンバと、前記第5のプロセスチャンバが集積ツールに配置されている方法。

IPC (7件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (7件)：

H01L21/285 C ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 B ,  C23C14/14 D ,  C23C14/56 F ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/90 A

Fターム (79件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA16 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029DB03 ,  4K029DC03 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB32 ,  4M104DD21 ,  4M104DD37 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR04 ,  5F033RR12 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033XX08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-349875   出願人：株式会社日立製作所
• 改善された金属配線のための方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-562948   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 集積回路および集積回路を製造する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-009630   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド