特許
J-GLOBAL ID：200903085965987011

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
齋藤 達之

齋藤 達之 について

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大橋 直史

大橋 直史 について

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今井 俊則

今井 俊則 について

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野口 純司

野口 純司 について

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田丸 剛

田丸 剛 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-349875
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152077
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 配線と接続部との間の接触抵抗を低減し、エレクトロマイグレーション特性を向上させる。【解決手段】 その表面に、配線を構成する銅の拡散等を防止するためのタングステン膜CM1が形成された第1層配線上の絶縁膜(24a、24b、24c、26b、26c)をエッチングすることによりコンタクトホールC2および配線溝HM2を形成する際、コンタクトホールC2底部のタングステン膜CM1を除去し、バリア膜PM2aを形成した後、コンタクトホールC2底部のバリア膜PM2aを除去し、銅膜(PM2b、PM2c)を形成した後、その表面を研磨することにより第2層配線M2およびその下層のプラグP2を形成する。また、タングステン膜CM1又はバリア膜PM2aの少なくとも一方を除去するか、それらを不連続な膜で構成する。その結果、第1層配線M1とプラグP2との間の接触抵抗を低減できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、かつ、配線溝を有する第1層間絶縁膜と;前記配線溝の側壁と底面に形成された第1バリアメタル層と、前記配線溝を埋め込むように前記第1バリアメタル層上に形成された第1導電体層と、前記第1導電体層の表面に形成されたキャップバリアメタル膜とを有する配線部と;前記第1層間絶縁膜上に形成され、かつ、接続孔を有する第2層間絶縁膜と;前記接続孔の側壁と底面に形成された第2バリアメタル層と、前記接続孔を埋め込むように前記第2バリアメタル層上に形成された第2導電体層とを有する接続部と;を有する半導体装置において、前記接続部と前記配線部の接続部分において、前記接続孔の底面の前記第2バリアメタル層又は前記キャップバリアメタル膜の、少なくともどちらか一方が除去されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 29/43
FI (2件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 29/62 G
Fターム (98件)：
4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK04 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK30 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP17 ,  5F033PP21 ,  5F033PP23 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ43 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033SS25 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX02 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06 ,  5F033XX09
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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